Моя заявка (0)

CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 25 A, 700 V P, 3-Pin TO-263 IPB65R090CFD7ATMA1

CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 25 A, 700 V P, 3-Pin TO-263 IPB65R090CFD7ATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8060555471
Артикул
IPB65R090CFD7ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Q(g)
53 nC
V(DS)
650 V
P(tot)
127 W
Series
CoolMOS
Цена по запросу
(от 1 188,31 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Infineon CoolMOS super junction со встроенным быстродействующим диодом - это идеальный выбор для резонансныx топологий высокой мощности.

Технические параметры

Q(g)53 nC
V(DS)650 V
P(tot)127 W
SeriesCoolMOS
PackageD2PAK
R(thJC)0.98 K/W
MountingSMD
PackagingREEL
Pin Count3
AutomotiveNO
TechnologyCoolMOS
Вес, г1
Logic levelNO
RoHS StatusRoHS-conform
Channel TypeN
Package TypeD2PAK(TO-263)
ConfigurationN-CH
Mounting TypeSurface Mount
RDS(on)at 10V68 mOhm
Fast bodydiodeYES
I(D)at Tc=25°C25 A
Power Dissipation127Вт
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage700 V
Maximum Gate Threshold Voltage4.5V
Maximum Drain Source Resistance0.09 Ω
Drain Source On State Resistance0.068Ом
Maximum Continuous Drain Current25 A
Линейка ПродукцииCoolMOS CFD7 SJ
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока25А
Рассеиваемая Мощность127Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds650В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263(D2PAK)
Максимальная Рабочая Температура150°C
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.068Ом

Техническая документация

IPB65R090CFD7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AG.: купить | ЭПЛ