Моя заявка (0)

IPB65R065C7ATMA2, Power MOSFET, N Channel, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

IPB65R065C7ATMA2, Power MOSFET, N Channel, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8009644485
Артикул
IPB65R065C7ATMA2
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
CoolMOS
Pin Count
3
Вес, г
2
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 1 670 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Серия МОП-транзисторов Infineon Cool MOS C7 super junction - это революционный шаг вперед в теxнологии, обеспечивающий самый низкий в мире уровень RDS (on) в упаковке и, благодаря низким потерям при переключении, повышающий эффективность при полном диапазоне нагрузок.

Технические параметры

SeriesCoolMOS
Pin Count3
Вес, г2
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeD2PAK(TO-263)
КорпусTO-263
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage700 V
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Maximum Drain Source Resistance0.065 O
Maximum Continuous Drain Current145 A
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт171
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.058 Ом

Техническая документация