N-Channel MOSFET, 46 A, 650 V, 3-PIn D2PAK InfIneon IPB65R045C7ATMA2

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063890729
- Артикул
- IPB65R045C7ATMA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- Power MOSFET
- Series
- IPB65R
- Mounting
- Surface Mount
- Polarity
- N
Цена по запросу
(от 1 220 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Серия МОП-транзисторов Infineon CoolMOS™ C7 superjunction - это революционный шаг вперед в теxнологии, обеспечивающий самый низкий в мире уровень RDS (on) в упаковке и, благодаря низким потерям при переключении, повышающий эффективность при полном диапазоне нагрузок.
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Series | IPB65R |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | N |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 2+Tab |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | D2PAK |
| Rad Hardened | No |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 227(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Transistor Material | Si |
| Drain-Source On-Volt | 650(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Continuous Drain Current | 46(A) |
| Gate-Source Voltage (Max) | 20(V) |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 45 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.04Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 46 A |
| Линейка Продукции | CoolMOS C7 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Непрерывный Ток Стока | 46А |
| Рассеиваемая Мощность | 227Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.04Ом |