Моя заявка (0)

N-Channel MOSFET, 46 A, 650 V, 3-PIn D2PAK InfIneon IPB65R045C7ATMA2

N-Channel MOSFET, 46 A, 650 V, 3-PIn D2PAK InfIneon IPB65R045C7ATMA2

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063890729
Артикул
IPB65R045C7ATMA2
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Type
Power MOSFET
Series
IPB65R
Mounting
Surface Mount
Polarity
N
Цена по запросу
(от 1 220 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Серия МОП-транзисторов Infineon CoolMOS™ C7 superjunction - это революционный шаг вперед в теxнологии, обеспечивающий самый низкий в мире уровень RDS (on) в упаковке и, благодаря низким потерям при переключении, повышающий эффективность при полном диапазоне нагрузок.

Технические параметры

TypePower MOSFET
SeriesIPB65R
MountingSurface Mount
PolarityN
PackagingTape and Reel
Pin Count2+Tab
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeD2PAK
Rad HardenedNo
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation227(W)
Number of Elements1
Transistor MaterialSi
Drain-Source On-Volt650(V)
Operating Temp Range-55C to 150C
Continuous Drain Current46(A)
Gate-Source Voltage (Max)20(V)
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage650 V
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Maximum Drain Source Resistance45 mΩ
Drain Source On State Resistance0.04Ом
Maximum Continuous Drain Current46 A
Линейка ПродукцииCoolMOS C7
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Operating Temperature ClassificationMilitary
Непрерывный Ток Стока46А
Рассеиваемая Мощность227Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds650В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263(D2PAK)
Максимальная Рабочая Температура150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.04Ом

Техническая документация