IPB65R041CFD7ATMA1,Power MOSFET, N Channel, 650 V, 50 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008975883
- Артикул
- IPB65R041CFD7ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 102 nC
- V(DS)
- 650 V
- P(tot)
- 227 W
- Series
- CoolMOS
Цена по запросу
(от 1 880 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Infineon CoolMOS super junction со встроенным быстродействующим диодом - это идеальный выбор для резонансныx топологий высокой мощности.
Технические параметры
| Q(g) | 102 nC |
| V(DS) | 650 V |
| P(tot) | 227 W |
| Series | CoolMOS |
| Package | D2PAK |
| R(thJC) | 0.55 K/W |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Technology | CoolMOS |
| Вес, г | 0.001 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Корпус | TO-263 |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 35 mOhm |
| Fast bodydiode | YES |
| I(D)at Tc=25°C | 50 A |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 700 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.041 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.035 Ом |