N-Channel MOSFET, 64 A, 250 V, 3-PIn D2PAK InfIneon IPB64N25S320ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8067056011
- Артикул
- IPB64N25S320ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.15
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 300Вт
- Квалификация
- AEC-Q101
Цена по запросу
(от 660 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IPB64N25S3-20, SP000876596 • Силовой транзистор OptiMOS® -T • Режим N-канального усиления • Соответствует требованиям AEC • рабочая температура 175°C • 100%-ная лавинная проверка
Технические параметры
| Вес, г | 0.15 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 300Вт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Drain Source On State Resistance | 0.0175Ом |
| Линейка Продукции | OptiMOS T |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 64А |
| Рассеиваемая Мощность | 300Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 250В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0175Ом |