Транзистор полевой IPB60R950C6 MOSFET N-CH 600V 4.4A, 2013 г.в.
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070017739
- Артикул
- IPB60R950C6
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- RoHS
- Details
- Brand
- Infineon Technologies
- Width
- 9.25 mm
- Height
- 4.4 mm
Цена по запросу
(от 390 ₽)
Минимальный заказ: 3 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор IPB60R950C6 — изделие серии IPB60. Характеристики Обозначение: IPB60R950C6 Категория: Транзисторы / Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) Параметры: полевой MOSFET N-CH 600V 4.4A Масса: 1.5 г Год выпуска: 2013 Производитель: Infineon Единица измерения: шт
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Infineon Technologies |
| Width | 9.25 mm |
| Height | 4.4 mm |
| Length | 10 mm |
| Series | CoolMOS C6 |
| Fall Time | 13 nS |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 8 nS |
| Tradename | CoolMOS |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1.5 |
| Unit Weight | 0.139332 oz |
| Manufacturer | Infineon |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-263-3 |
| Part # Aliases | IPB60R950C6ATMA1 IPB60R950C6XT SP000660620 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 13 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Pd - Power Dissipation | 37 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 60 nS |
| Id - Continuous Drain Current | 4.4 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 950 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |