Моя заявка (0)

IPB60R380C6ATMA1, Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

IPB60R380C6ATMA1, Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001292105
Артикул
IPB60R380C6ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Tab
Tab
PPAP
No
SVHC
Yes
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 311 ₽)
Минимальный заказ: 244 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 600V 10,6A 3-контактный (2+Tab) D2PAK T/R

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
SVHCYes
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed2
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Package Width9.45(Max)
Package Length10.31(Max)
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageD2PAK
Maximum IDSS (uA)1
Process TechnologyCoolMOS C6
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO-263
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)9
Typical Rise Time (ns)10
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)83000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)32
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)32@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)20
Typical Turn-On Delay Time (ns)15
Maximum Drain-Source Voltage (V)600
Typical Turn-Off Delay Time (ns)110
Maximum Gate Threshold Voltage (V)3.5
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)10.6
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)700@100V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)380@10V
Maximum Gate-Source Leakage Current (nA)100
Typical Drain-Source Resistance @ 25°C (mOhm)340@10V
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация