Моя заявка (0)

IPB60R360P7ATMA1,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

IPB60R360P7ATMA1,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000033787
Артикул
IPB60R360P7ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Tab
Tab
PPAP
No
Series
600V CoolMOS P7
EU RoHS
Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 354 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Этот МОП-транзистор Infineon 600V Cool MOS P7 super junction продолжает обеспечивать баланс между необxодимостью обеспечения высокой эффективности и простотой использования в процессе проектирования.

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
Series600V CoolMOS P7
EU RoHSCompliant with Exemption
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Вес, г1
PCB changed2
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeD2PAK(TO-263)
КорпусTO-263
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageD2PAK
СтруктураN-Channel
Typical Fall Time (ns)10
Typical Rise Time (ns)7
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage600 V
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Maximum Power Dissipation (mW)41000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)13
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)13@10V
Maximum Drain Source Resistance0.36 Ω
Maximum Gate Source Voltage (V)20
Typical Turn-On Delay Time (ns)8
Maximum Continuous Drain Current9 A
Maximum Drain Source Voltage (V)600
Typical Turn-Off Delay Time (ns)42
Typical Gate to Drain Charge (nC)4
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)9
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)555@400V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)360@10V
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.305 Ом

Техническая документация