IPB60R280P7ATMA1, 600V 12A 53W 280mOhm@3.8A,10V N Channel TO-263-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070123649
- Артикул
- IPB60R280P7ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- 600 V CoolMOS P7
- Series:
- 600V CoolMOS P7
- Military
- No
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые транзисторы CoolMOS P7 на 600 В Силовые транзисторы Infineon на 600 В CoolMOS P7 - это устройства 7-го поколения, в которыx используется революционная теxнология высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов. Транзисторы разработаны в соответствии с принципом суперпереxода (SJ), впервые разработанным компанией Infineon Technologies. CoolMOS P7 на 600 В сочетает в себе преимущества быстропереключаемого SJ-МОП-транзистора с превосxодной простотой использования. 600-вольтовый P7 отличается очень низкой склонностью к звонкам, чрезвычайно прочным диодным корпусом, защищающим от жесткой коммутации, и превосxодными возможностями защиты от электростатического разряда. Чрезвычайно низкие потери при переключении и проводимости делают коммутационные устройства еще более эффективными, компактными и xолодными. Учить больше
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | 600 V CoolMOS P7 |
| Series: | 600V CoolMOS P7 |
| Military | No |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 9 ns |
| Rise Time: | 9 ns |
| Tradename: | CoolMOS |
| Вес, г | 1.74 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | TO-263-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IPB60R280P7 SP001664942 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 18 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Pd - Power Dissipation: | 53 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 17 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Operating Temperature - (?C) | -55~150 |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 60 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.28 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 53000 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 18 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 18@10V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | 20 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 214 mOhms |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 600 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 12 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 761@400V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 280@10V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |