IPB60R190P6ATMA1, Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002221730
- Артикул
- IPB60R190P6ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 341 ₽)
Минимальный заказ: 223 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 600V 20,2A 3-контактный (2+Tab) D2PAK T/R
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Obsolete |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Package Width | 9.25 mm |
| Package Length | 10 mm |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | D2PAK |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Process Technology | CoolMOS P6 |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | TO-263 |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 7 |
| Typical Rise Time (ns) | 8 |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 151000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 37 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 37@10V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | 20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 15 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 600 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 45 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4.5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 20.2 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1750@100V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 190@10V |
| Maximum Gate-Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Typical Drain-Source Resistance @ 25°C (mOhm) | 171@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |