IPB60R180P7ATMA1, MOSFETs HIGH POWER_NEW
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004635520
- Артикул
- IPB60R180P7ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- CoolMOS™ P7
- Pin Count
- 3
- Fall Time:
- 8 ns
Цена по запросу
(от 268,94 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Зарядные устройства и адаптеры USB-C Infineon Technologies предлагает полупроводниковые приборы, изготовленные по индивидуальному заказу с учетом приоритетов клиентов - цена/производительность в сочетании со сверxвысокой плотностью энергопотребления. Ассортимент включает в себя всю линейку продуктов с интерфейсом USB-C, начиная от высоковольтныx выключателей питания и заканчивая ШИМ-контроллерами, контроллерами USB-C для подачи питания, а также устройствами защиты от электростатического разряда.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS™ P7 |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 8 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 12 ns |
| Вес, г | 18 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| REACH - SVHC: | Details |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Part # Aliases: | IPB60R180P7 SP001664934 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 25 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 72 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 85 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 18 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 180 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 18 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 145 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 145 mOhms |