Моя заявка (0)

IPB60R180C7ATMA1, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

IPB60R180C7ATMA1, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000971346
Артикул
IPB60R180C7ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
600V CoolMOS™ C7
Pin Count
3
Вес, г
1.81
Длина
10 mm
Цена по запросу
(от 442 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор HIGH POWER_NEW

Технические параметры

Series600V CoolMOS™ C7
Pin Count3
Вес, г1.81
Длина10 mm
СерияCoolMOS C7
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeD2PAK(TO-263)
Высота4.4 mm
КорпусTO-263
Ширина9.25 mm
Mounting TypeSurface Mount
УпаковкаReel, Cut Tape
Power Dissipation68Вт
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTO-263-3
Maximum Drain Source Voltage600 V
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Maximum Drain Source Resistance0.18 Ω
Drain Source On State Resistance0.155Ом
Maximum Continuous Drain Current13 A
Линейка ПродукцииCoolMOS C7
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока13А
Рассеиваемая Мощность68Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3.5В
Другие названия товара №IPB60R180C7 SP001296224
Коммерческое обозначениеCoolMOS
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Размер фабричной упаковки1000
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263(D2PAK)
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.155Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.155 Ом

Техническая документация