Моя заявка (0)

IPB60R180C7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 8А, 68Вт, D2PAK

IPB60R180C7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 8А, 68Вт, D2PAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8031941320
Артикул
IPB60R180C7
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Case
D2PAK
Mounting
SMD
Technology
CoolMOS™ C7
Вес, г
0.03
Цена по запросу
(от 281,78 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

CaseD2PAK
MountingSMD
TechnologyCoolMOS™ C7
Вес, г0.03
Gate charge24nC
Polarisationunipolar
Drain current8A
Kind of channelenhanced
Power dissipation68W
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.18Ω
Drain-source voltage600V
Особенности-
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт68
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация