Моя заявка (0)

CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET, 23.8 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R160P6ATMA1

CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET, 23.8 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R160P6ATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8009710028
Артикул
IPB60R160P6ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
4.57mm
Series
CoolMOS P6
Pin Count
3
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 990 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Линейка МОП-транзисторов Infineon CoolMOS™ серий E6 и P6. Эти высокоэффективные устройства могут использоваться в различныx областяx применения, включая коррекцию коэффициента мощности (PFC), освещение и бытовые устройства, а также солнечную энергию, телекоммуникации и серверы.

Технические параметры

Width4.57mm
SeriesCoolMOS P6
Pin Count3
Вес, г1
Длина10 mm
СерияCoolMOS P6
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeD2PAK(TO-263)
Высота4.4 mm
Ширина9.25 mm
Mounting TypeSurface Mount
УпаковкаReel, Cut Tape
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Forward Diode Voltage0.9V
Вид монтажаSMD/SMT
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation176 W
Typical Gate Charge @ Vgs44 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTO-263-3
Maximum Drain Source Voltage650 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage3.5V
Maximum Drain Source Resistance160 mΩ
Maximum Continuous Drain Current23.8 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Другие названия товара №IPB60R160P6 SP001313876
Коммерческое обозначениеCoolMOS
Размер фабричной упаковки1000
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А23.8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация