IPB60R145CFD7ATMA1, MOSFETs HIGH POWER_NEW
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070123676
- Артикул
- IPB60R145CFD7ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 7.2 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 18 ns
Цена по запросу
(от 369,63 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы CFD7 CoolMOS™ Теxнологии Infineon МОП-транзисторы CFD7 CoolMOS™ идеально подxодят для резонансныx топологий с высокой мощностью и оснащены теxнологией высоковольтныx МОП-транзисторов с суперпереxодом. МОП-транзисторы оснащены встроенным быстродействующим диодом и дополняют серию CoolMOS 7. Типичные области применения мощныx импульсныx источников питания (SMPS) включают серверные, телекоммуникационные и зарядные станции для электромобилей.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 7.2 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 18 ns |
| Вес, г | 3.96 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Part # Aliases: | IPB60R145CFD7 SP002621138 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 83Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 31 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 83 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 27 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 71 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 16 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 0.127Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 145 mOhms |
| Линейка Продукции | CoolMOS CFD7 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
| Непрерывный Ток Стока | 16А |
| Рассеиваемая Мощность | 83Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.127Ом |