Моя заявка (0)

CoolMOS™ P7 N-Channel MOSFET, 26 A, 600 V, 3-Pin D2PAK IPB60R120P7ATMA1

CoolMOS™ P7 N-Channel MOSFET, 26 A, 600 V, 3-Pin D2PAK IPB60R120P7ATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8023892201
Артикул
IPB60R120P7ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ P7
Pin Count
3
Fall Time:
6 ns
Цена по запросу
(от 790 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Этот МОП-транзистор Infineon 600V Cool MOS P7 super junction продолжает обеспечивать баланс между необxодимостью обеспечения высокой эффективности и простотой использования в процессе проектирования.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
SeriesCoolMOS™ P7
Pin Count3
Fall Time:6 ns
Rise Time:14 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypeD2PAK(TO-263)
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-263-3
Part # Aliases:IPB60R120P7 SP001664922
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:36 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:95 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:21 ns
Maximum Drain Source Voltage600 V
Typical Turn-Off Delay Time:81 ns
Id - Continuous Drain Current:26 A
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance0.12 Ω
Maximum Continuous Drain Current26 A
Rds On - Drain-Source Resistance:100 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А26
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация