IPB60R099P7ATMA1, 650V 31A 117W 99mOhm@10.5A,10V N Channel TO-263-3 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044730007
- Артикул
- IPB60R099P7ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- CoolMOS™
- FET Type
- N-Channel
- Pin Count
- 3
- Vgs (Max)
- ±20V
Цена по запросу
(от 538 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IPB60R099P7, SP001664910
Технические параметры
| Series | CoolMOS™ |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 2.44 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | TO 263 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D2PAK(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Power Dissipation | 117Вт |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 530µA |
| Transistor Material | Silicon |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99mOhm @ 10.5A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 117W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.099 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.077Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 31 A |
| Линейка Продукции | CoolMOS P7 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1952 pF @ 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A(Tc) |
| Непрерывный Ток Стока | 31А |
| Рассеиваемая Мощность | 117Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.077Ом |