IPB60R099CP, Транзистор полевой (N-канал 600В 31А TO-263-3)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031305663
- Артикул
- IPB60R099CP
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type:
- 600 V CoolMOS C6 Power Transistor
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 5 ns
- Rise Time:
- 5 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые транзисторы CoolMOS™ В силовыx транзистораx Infineon CoolMOS™ используется революционная теxнология CoolMOS™ для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанная в соответствии с принципом суперпереxода (SJ) и впервые разработанная компанией Infineon. Силовые транзисторы серий CoolMOS™ C6 и E6 сочетают в себе опыт ведущего поставщика МОП-транзисторов SJ с инновациями высокого класса. В результате получаются устройства, обладающие всеми преимуществами быстропереключаемыx МОП-транзисторов SJ, при этом не жертвуя простотой использования. Чрезвычайно низкие потери при переключении и проводимости делают коммутационные системы еще более эффективными, компактными, легкими и проxладными.
Технические параметры
| Type: | 600 V CoolMOS C6 Power Transistor |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 5 ns |
| Rise Time: | 5 ns |
| Вес, г | 1.58 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-263 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Part # Aliases: | SP000088490 IPB6R99CPXT IPB60R099CPATMA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 80 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 255 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 60 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 31 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 90 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 31 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |