Моя заявка (0)

IPB60R099C7ATMA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600 В PG-TO263-3

IPB60R099C7ATMA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600 В PG-TO263-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062031941
Артикул
IPB60R099C7ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
IPB60R
Pin Count
3
Вес, г
1.91
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 629,74 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

IPB60R099C7, SP001297998

Технические параметры

SeriesIPB60R
Pin Count3
Вес, г1.91
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeD2PAK(TO-263)
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation110Вт
Transistor MaterialSi
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage600 V
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Maximum Drain Source Resistance99 mΩ
Drain Source On State Resistance0.085Ом
Maximum Continuous Drain Current22 A
Линейка ПродукцииCoolMOS C7
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока22А
Рассеиваемая Мощность110Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263(D2PAK)
Максимальная Рабочая Температура150°C
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.085Ом

Техническая документация