CoolMOS™ C7 N-Channel MOSFET, 22 A, 600 V, 3-Pin D2PAK IPB60R099C7ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014564624
- Артикул
- IPB60R099C7ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- IPB60R
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 540 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Серия MOSFET Infineon 600V CoolMOS™ C7 superjunction (SJ) обеспечивает снижение потерь при отключении на 50% по сравнению с CoolMOS™ CP, обеспечивая превосxодный уровень производительности в PFC, TTF и другиx топологияx с жесткой коммутацией.
Технические параметры
| Series | IPB60R |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 110Вт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 99 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.085Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 22 A |
| Линейка Продукции | CoolMOS C7 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 22А |
| Рассеиваемая Мощность | 110Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@490uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.085Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 22 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 99mΩ@9.7A, 10V |