IPB60R Type N-Channel MOSFET, 25 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R090CFD7ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014564623
- Артикул
- IPB60R090CFD7ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- IPB60R
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 1 058,13 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 с суперпереxодом IPB60R090CFD7 в корпусе D2PAK идеально подxодит для резонансныx топологий в мощныx SMPS-устройстваx, такиx как серверные, телекоммуникационные и зарядные станции для электромобилей, где он позволяет значительно повысить эффективность.
Технические параметры
| Series | IPB60R |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Корпус | TO-263 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 90 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 25 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |