Моя заявка (0)

IPB60R080P7ATMA1, null 37A 129W 80mOhm@11.8A,10V 4V@590uA null TO-263-3 MOSFETs

IPB60R080P7ATMA1, null 37A 129W 80mOhm@11.8A,10V 4V@590uA null TO-263-3 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062031908
Артикул
IPB60R080P7ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Type
N Channel
Package Type
D2PAK(TO-263)
Цена по запросу
(от 360 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор HIGH POWER_NEW

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г1
Channel TypeN Channel
Package TypeD2PAK(TO-263)
Mounting TypeSurface Mount
УпаковкаReel, Cut Tape
Power Dissipation129Вт
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада5 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTO-263-3
Maximum Drain Source Voltage600 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Qg - заряд затвора51 nC
Maximum Drain Source Resistance80 mO
Время нарастания10 ns
Drain Source On State Resistance0.069Ом
Maximum Continuous Drain Current37 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока37А
Рассеиваемая Мощность129Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs3.5В
Pd - рассеивание мощности129 W
Другие названия товара №IPB60R080P7 SP001664898
Id - непрерывный ток утечки37 A
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Размер фабричной упаковки1000
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263(D2PAK)
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток69 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения70 ns
Типичное время задержки при включении15 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.069Ом

Техническая документация