IPB60R070CFD7ATMA1,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 31 A, 0.057 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004105386
- Артикул
- IPB60R070CFD7ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 4.536
- Channel Type
- N
- Package Type
- D2PAK(TO-263)
Цена по запросу
(от 1 020 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор HIGH POWER_NEW
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 4.536 |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Корпус | TO-263 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 6 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 67 nC |
| Время нарастания | 23 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 31 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 156 W |
| Другие названия товара № | IPB60R070CFD7 SP002621062 |
| Id - непрерывный ток утечки | 31 A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 70 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 99 ns |
| Типичное время задержки при включении | 26 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.057 Ом |