CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET & Diode, 151 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R060P7ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024858752
- Артикул
- IPB60R060P7ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 67 nC
- V(DS)
- 650 V
- Brand:
- Infineon Technologies
- P(tot)
- 164 W
Цена по запросу
(от 1 140 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Infineon 600V Cool MOS P7 super junction является преемником МОП-транзисторов серии 600V Cool MOS P6. В процессе проектирования он по-прежнему обеспечивает баланс между высокой эффективностью и простотой использования.
Технические параметры
| Q(g) | 67 nC |
| V(DS) | 650 V |
| Brand: | Infineon Technologies |
| P(tot) | 164 W |
| Series | CoolMOS P7 |
| Package | D2PAK |
| R(thJC) | 0.76 K/W |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting | SMD |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Automotive | NO |
| Fall Time: | 4 ns |
| Rise Time: | 12 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| FET Feature | - |
| Logic level | NO |
| Part Status | Active |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-263 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | N-CH |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| RDS(on)at 10V | 49 mOhm |
| Configuration: | Single |
| Fast bodydiode | NO |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| I(D)at Tc=25°C | 48 A |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Part # Aliases: | IPB60R060P7 SP001664882 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 164Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 67 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 800ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 15.9A, 10V |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Pd - Power Dissipation: | 164 W |
| Power Dissipation (Max) | 164W(Tc) |
| Supplier Device Package | DВІPAK(TO-263AB) |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 23 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 79 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Id - Continuous Drain Current: | 48 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.06 O |
| Drain Source On State Resistance | 0.049Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 151 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 49 mOhms |
| Линейка Продукции | CoolMOS P7 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2895pF @ 400V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Непрерывный Ток Стока | 48А |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 48A(Tc) |
| Рассеиваемая Мощность | 164Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.5В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.049Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 151 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 164 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |