iPB Type N-Channel MOSFET, 273 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R060C7ATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014778447
- Артикул
- IPB60R060C7ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- CoolMOS C7
- Pin Count
- 3
- Fall Time:
- 4 ns
Цена по запросу
(от 2 300 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon CoolMOS C7 - это революционная теxнология для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанная в соответствии с принципом super junction (SJ) и впервые разработанная компанией Infineon technologies.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | CoolMOS C7 |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 4 ns |
| Rise Time: | 11 ns |
| Tradename: | CoolMOS |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-263 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Part # Aliases: | IPB60R060C7 SP001385008 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 68 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Pd - Power Dissipation: | 162 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 28 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 35 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 35 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 60 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.7 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 273 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |