Моя заявка (0)

iPB Type N-Channel MOSFET, 273 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R060C7ATMA1

iPB Type N-Channel MOSFET, 273 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R060C7ATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014778447
Артикул
IPB60R060C7ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series:
CoolMOS C7
Pin Count
3
Fall Time:
4 ns
Цена по запросу
(от 2 300 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon CoolMOS C7 - это революционная теxнология для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанная в соответствии с принципом super junction (SJ) и впервые разработанная компанией Infineon technologies.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Series:CoolMOS C7
Pin Count3
Fall Time:4 ns
Rise Time:11 ns
Tradename:CoolMOS
Вес, г1
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypeD2PAK(TO-263)
Subcategory:MOSFETs
КорпусTO-263
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-263-3
Part # Aliases:IPB60R060C7 SP001385008
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:68 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
ОсобенностиEnhancement Mode
Pd - Power Dissipation:162 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:10 ns
Maximum Drain Source Voltage650 V
Typical Turn-Off Delay Time:28 ns
Id - Continuous Drain Current:35 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Continuous Drain Current35 A
Rds On - Drain-Source Resistance:60 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.7 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А273
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация