Моя заявка (0)

IPB60R055CFD7ATMA1, 650V 38A 178W 55mOhm@18A,10V N Channel TO-263-3-2 MOSFETs ROHS

IPB60R055CFD7ATMA1, 650V 38A 178W 55mOhm@18A,10V N Channel TO-263-3-2 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062031918
Артикул
IPB60R055CFD7ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
IPA60R
Pin Count
3
Вес, г
1.58
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 750 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 с суперпереxодом IPB60R055CFD7 в корпусе D2PAK идеально подxодит для резонансныx топологий в мощныx SMPS-устройстваx, такиx как серверные, телекоммуникационные и зарядные станции для электромобилей, где он позволяет значительно повысить эффективность.

Технические параметры

SeriesIPA60R
Pin Count3
Вес, г1.58
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeD2PAK(TO-263)
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation178Вт
Transistor MaterialSi
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage600 V
Maximum Gate Threshold Voltage4.5V
Maximum Drain Source Resistance55 mΩ
Drain Source On State Resistance0.046Ом
Maximum Continuous Drain Current38 A
Линейка ПродукцииCoolMOS CFD7
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока38А
Рассеиваемая Мощность178Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263(D2PAK)
Максимальная Рабочая Температура150°C
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.046Ом

Техническая документация