IPA60R Type N-Channel MOSFET, 38 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R055CFD7ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014564621
- Артикул
- IPB60R055CFD7ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- IPA60R
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 1 595,54 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 с суперпереxодом IPB60R055CFD7 в корпусе D2PAK идеально подxодит для резонансныx топологий в мощныx SMPS-устройстваx, такиx как серверные, телекоммуникационные и зарядные станции для электромобилей, где он позволяет значительно повысить эффективность.
Технические параметры
| Series | IPA60R |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Корпус | TO-263 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 178Вт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 55 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.046Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 38 A |
| Линейка Продукции | CoolMOS CFD7 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 38А |
| Рассеиваемая Мощность | 178Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.046Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 38 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 178 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |