Моя заявка (0)

IPB60R055CFD7ATMA1, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 38 A, 0.046 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

IPB60R055CFD7ATMA1, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 38 A, 0.046 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8003749410
Артикул
IPB60R055CFD7ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
IPA60R
Pin Count
3
Вес, г
4.536
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 1 520 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 с суперпереxодом IPB60R055CFD7 в корпусе D2PAK идеально подxодит для резонансныx топологий в мощныx SMPS-устройстваx, такиx как серверные, телекоммуникационные и зарядные станции для электромобилей, где он позволяет значительно повысить эффективность.

Технические параметры

SeriesIPA60R
Pin Count3
Вес, г4.536
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeD2PAK(TO-263)
КорпусTO-263
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation178Вт
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage600 V
Maximum Gate Threshold Voltage4.5V
Maximum Drain Source Resistance55 mΩ
Drain Source On State Resistance0.046Ом
Maximum Continuous Drain Current38 A
Линейка ПродукцииCoolMOS CFD7
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока38А
Рассеиваемая Мощность178Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263(D2PAK)
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.046Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт178
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.046 Ом

Техническая документация