IPB60R040CFD7ATMA1, 650V 50A 227W 40mOhm@24.9A,10V 4.5V@1.25mA N Channel TO-263 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070127333
- Артикул
- IPB60R040CFD7ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 2.44
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
- Время спада
- 3.2 ns
Цена по запросу
(от 1 168,78 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор HIGH POWER_NEW
Технические параметры
| Вес, г | 2.44 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 3.2 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 107 nC |
| Время нарастания | 11 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 227 W |
| Другие названия товара № | IPB60R040CFD7 SP002621056 |
| Id - непрерывный ток утечки | 50 A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 40 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 81 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18.5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |