IPB60R040CFD7ATMA1, MOSFETs HIGH POWER_NEW
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006207511
- Артикул
- IPB60R040CFD7ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- IPA60R
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1.57
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 1 034,60 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор HIGH POWER_NEW
Технические параметры
| Series | IPA60R |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.57 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 FP |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 3.2 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Qg - заряд затвора | 107 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 180 mΩ |
| Время нарастания | 11 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 18 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 227 W |
| Другие названия товара № | IPB60R040CFD7 SP002621056 |
| Id - непрерывный ток утечки | 50 A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 40 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Типичное время задержки выключения | 81 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18.5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 V |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 40 mOhms |