Моя заявка (0)

CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 50 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R040C7ATMA1

CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 50 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R040C7ATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014564502
Артикул
IPB60R040C7ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
CoolMOS
Pin Count
3
Вес, г
1
Длина
10 mm
Цена по запросу
(от 2 713,02 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор HIGH POWER_NEW

Технические параметры

SeriesCoolMOS
Pin Count3
Вес, г1
Длина10 mm
СерияCoolMOS C7
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO 263
Высота4.4 mm
КорпусTO-263
Ширина9.25 mm
Mounting TypeSurface Mount
УпаковкаReel, Cut Tape
Power Dissipation227Вт
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSilicon
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
ОсобенностиEnhancement Mode
Тип продуктаMOSFET
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTO-263-3
Maximum Drain Source Voltage650 V
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Maximum Drain Source Resistance0.04 Ω
Drain Source On State Resistance0.034Ом
Maximum Continuous Drain Current50 A
Линейка ПродукцииCoolMOS C7
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока50А
Рассеиваемая Мощность227Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3.5В
Другие названия товара №IPB60R040C7 SP001277610
Коммерческое обозначениеCoolMOS
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Размер фабричной упаковки1000
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263(D2PAK)
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.034Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А50
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация