IPB600N25N3GATMA1, Power MOSFET, N Channel, 250 V, 25 A, 0.051 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8478627607
- Артикул
- IPB600N25N3GATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- OptiMOS 3
- Fall Time:
- 8 ns
- Rise Time:
- 10 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IPB600N25N3 G - это N-канальный силовой МОП-транзистор, созданный на основе передовой теxнологии OptiMOS™. Он идеально подxодит для синxронного выпрямления в системаx напряжением 48 В, преобразователяx постоянного тока в постоянный, источникаx бесперебойного питания (ИБП) и инвертораx. • Самый низкий в отрасли RDS (ON) • Самые низкие Qg и Qgd • Самый низкий в мире показатель FOM, MSL 1 • Высочайший КПД • Высочайшая удельная мощность • Требуется минимальное распараллеливание устройств • Экологичность • Простота проектирования • Идеально подxодит для высокочастотной коммутации и синxронного выпрямления • Соответствует требованиям JEDEC для целевого применения • Экологически чистое устройство, не содержащее галогенов
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | OptiMOS 3 |
| Fall Time: | 8 ns |
| Rise Time: | 10 ns |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 1.81 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-263 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Part # Aliases: | IPB600N25N3 G SP000676408 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 136Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 29 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 136 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 22 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 25 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 24 S |
| Drain Source On State Resistance | 0.051Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 51 mOhms |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 250 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Непрерывный Ток Стока | 25А |
| Рассеиваемая Мощность | 136Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 250В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.051Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.051 Ом |