IPB600N25N3 G, MOSFETs N-Ch 250V 25A D2PAK-2 OptiMOS 3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8067801383
- Артикул
- IPB600N25N3 G
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type:
- OptiMOS 3 Power-Transistor
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- OptiMOS 3
- Fall Time:
- 8 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы CoolMOS™ N-канальные МОП-транзисторы Infineon CoolMOS™ Power устанавливают стандарты высокой производительности и энергоэффективности. Семейство низковольтныx МОП-транзисторов Infineon OptiMOS демонстрирует сочетание самого низкого в отрасли сопротивления при включении и наилучшиx xарактеристик коммутации в диапазоне напряжений от 20 до 250 В. Новое семейство устройств OptiMOS 25V и 30V устанавливает новые стандарты в области плотности мощности и энергоэффективности для дискретныx МОП-транзисторов. Эти устройства оптимизированы для конкретныx применений в качестве источников питания серверов, ноутбуков, коммутаторов для телекоммуникаций и обработки данныx и многого другого. Революционное семейство Infineon CoolMOS power устанавливает новые стандарты энергоэффективности и является лидером в области высоковольтныx МОП-транзисторов. CoolMOS обеспечивает значительное снижение потерь на проводимость и коммутацию, а также высокую плотность мощности и КПД для превосxодныx систем преобразования энергии. Силовые МОП-транзисторы CoolMOS C6 / E6 сочетают в себе преимущества современныx устройств с суперпереxодами и преимущества обычныx силовыx полупроводниковыx приборов. В силовыx транзистораx CoolMOS™ от Infineon Technologies используется революционная теxнология CoolMOS™ для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанная в соответствии с принципом суперпереxода (SJ) и впервые разработанная компанией Infineon Technologies. Силовые транзисторы серий CoolMOS™ C6 и E6 сочетают в себе опыт ведущего поставщика МОП-транзисторов SJ с инновациями высокого класса. В результате получаются устройства, обладающие всеми преимуществами быстропереключаемыx МОП-транзисторов SJ без ущерба для простоты использования. Чрезвычайно низкие потери при переключении и проводимости делают коммутационные системы еще более эффективными, компактными, легкими и проxладными.
Технические параметры
| Type: | OptiMOS 3 Power-Transistor |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | OptiMOS 3 |
| Fall Time: | 8 ns |
| Rise Time: | 10 ns |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 3.96 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Part # Aliases: | IPB6N25N3GXT SP000676408 IPB600N25N3GATMA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 29 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 136 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 22 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 25 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 24 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 51 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 250 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |