Моя заявка (0)

IPB530N15N3GATMA1, Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

IPB530N15N3GATMA1, Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001292604
Артикул
IPB530N15N3GATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Tab
Tab
PPAP
Unknown
SVHC
Yes
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 320 ₽)
Минимальный заказ: 289 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 150V 21A 3-контактный(2+Tab) D2PAK T/R

Технические параметры

TabTab
PPAPUnknown
SVHCYes
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveUnknown
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed2
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Package Width9.45(Max)
Package Length10.31(Max)
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageD2PAK
Process TechnologyOptiMOS
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO-263
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)3
Typical Rise Time (ns)9
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)68000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)8.7
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)8.7@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)9
Maximum Drain-Source Voltage (V)150
Typical Turn-Off Delay Time (ns)13
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)21
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)667@75V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)53@10V
Typical Drain-Source Resistance @ 25°C (mOhm)44@8V|44@10V
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А21
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация