IPB45N06S4L08ATMA3, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 45 A, 0.007 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012544352
- Артикул
- IPB45N06S4L08ATMA3
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- OptiMOS-T2
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.3
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 288 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка продуктов Infineon семейства OptiMOS -T2 расширяет существующие семейства OptiMOS -T и OptiMOS -аналогов.
Технические параметры
| Series | OptiMOS-T2 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.3 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Корпус | TO-263 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0079 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 45 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.007 Ом |