iPB Type N-Channel MOSFET, 35 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB35N10S3L26ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014778127
- Артикул
- IPB35N10S3L26ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N
- Package Type
- D2PAK(TO-263)
Цена по запросу
(от 300 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon OptiMOS - это силовой МОП-транзистор для автомобильной промышленности. Рабочий канал - N. Он соответствует стандарту AEC Q101.
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Корпус | TO-263 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 35 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 35 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 71 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0203 Ом |