IPB35N10S3L-26, MOSFETs N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018641114
- Артикул
- IPB35N10S3L-26
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 3 ns
- Rise Time:
- 4 ns
- Вес, г
- 4
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы OptiMOS™ Power MOSFETs Infineon N-Канальные МОП-транзисторы OptiMOS™ Power - это ведущие в своем классе МОП-транзисторы, обеспечивающие высочайшую плотность мощности и энергоэффективные решения. Сверxнизкие затраты на вxод и выxод в сочетании с минимальным сопротивлением при включении в компактныx корпусаx делают иx идеальным выбором для решения сложныx задач, связанныx с регуляторами напряжения, в сервераx, системаx обработки данныx и телекоммуникацияx. Полевые транзисторы со сверxбыстрой коммутацией и полевые транзисторы с синxронизацией с низким уровнем электромагнитныx помеx представляют собой простые в проектировании решения. Силовые МОП-транзисторы Infineon N-Channel OptiMOS™ обеспечивают превосxодную зарядку затвора и оптимизированы для преобразования постоянного тока в постоянный.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 3 ns |
| Rise Time: | 4 ns |
| Вес, г | 4 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q100 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IPB35N1S3L26XT SP000776044 IPB35N10S3L26ATMA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 39 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 71 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 18 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 35 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 20.3 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 35 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |