IPB320N20N3G, 200V 34A 136W 32mOhm@10V,34A 4V@90uA N Channel TO-263-2 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8049057106
- Артикул
- IPB320N20N3G
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Тип
- OptiMOS 3 Power-Transistor
- Вес, г
- 1.89
- Длина
- 10 mm
- Серия
- OptiMOS 3
Цена по запросу
(от 408,97 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3
Технические параметры
| Тип | OptiMOS 3 Power-Transistor |
| Вес, г | 1.89 |
| Длина | 10 mm |
| Серия | OptiMOS 3 |
| Высота | 4.4 mm |
| Ширина | 9.25 mm |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 4 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 29 nC |
| Время нарастания | 9 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 136 W |
| Другие названия товара № | SP000691172 IPB32N2N3GXT IPB320N20N3GATMA1 |
| Id - непрерывный ток утечки | 34 A |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 28 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 21 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 27 S |