OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V, 3-Pin D2PAK IPB200N15N3GATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015380098
- Артикул
- IPB200N15N3GATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 9.45mm
- Series
- OptiMOS™ 3
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 300 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon предлагает большой и всесторонний ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает семейства CoolMOS, OptiMOS и StrongIRFET.
Технические параметры
| Width | 9.45mm |
| Series | OptiMOS™ 3 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 20 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |