IPB19DP10NMATMA1, 100V 185mOhm@12A,10V P Channel TO-263-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070046905
- Артикул
- IPB19DP10NMATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1.94
- Channel Type
- P
- Package Type
- D2PAK(TO-263)
Цена по запросу
(от 262 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
P-канальные МОП-транзисторы Infineon OptiMOS™ 100 В в корпусе D2PAK представляют собой новую теxнологию, предназначенную для управления аккумуляторами, переключения нагрузки и защиты от обратной полярности.
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.94 |
| Channel Type | P |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation (Pd) | 3.8W;83W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 45nC@10V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2nF@50V |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 2.9A;13.8A |
| Maximum Continuous Drain Current | 13.8 A |