iPB Type P-Channel MOSFET, 13.8 A, 100 V N, 3-Pin TO-263 IPB19DP10NMATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014579548
- Артикул
- IPB19DP10NMATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- P
- Package Type
- D2PAK(TO-263)
Цена по запросу
(от 564,12 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
P-канальные МОП-транзисторы Infineon OptiMOS™ 100 В в корпусе D2PAK представляют собой новую теxнологию, предназначенную для управления аккумуляторами, переключения нагрузки и защиты от обратной полярности.
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | P |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Корпус | TO-263 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | P-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 3.8W;83W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 45nC@10V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2nF@50V |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 2.9A;13.8A |
| Maximum Continuous Drain Current | 13.8 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@1.04mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 13.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 185mΩ@12A, 10V |