Моя заявка (0)
IPB19DP10NMATMA1, MOSFETs IFX FET 80 - 100V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8012193913
Артикул
IPB19DP10NMATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Type
P
Package Type
D2PAK(TO-263)
Цена по запросу
(от 218,46 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

P-канальные МОП-транзисторы Infineon OptiMOS™ 100 В в корпусе D2PAK представляют собой новую теxнологию, предназначенную для управления аккумуляторами, переключения нагрузки и защиты от обратной полярности.

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г1
Channel TypeP
Package TypeD2PAK(TO-263)
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation (Pd)3.8W;83W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)45nC@10V
Number of Elements per Chip1
Input Capacitance (Ciss@Vds)2nF@50V
Maximum Drain Source Voltage100 V
Continuous Drain Current (Id)2.9A;13.8A
Maximum Continuous Drain Current13.8 A

Техническая документация