Моя заявка (0)
IPB180N10S4-02, MOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-6

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004723261
Артикул
IPB180N10S4-02
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series:
XPB180N10
Fall Time:
40 ns
Rise Time:
9 ns
Цена по запросу
(от 670,92 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные N-канальные МОП-транзисторы напряжением от 75 В до 100 В Автомобильные N-канальные МОП-транзисторы Infineon Technologies напряжением от 75 В до 100 В соответствуют стандарту AEC-Q101 для применения в автомобилестроении и доступны в широком диапазоне типов корпусов, включая D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) и SSO8 (TDSON-8). Эти МОП-транзисторы идеально подxодят для систем впрыска топлива, беспроводной зарядки в автомобиле и подсистемы питания C02 напряжением 48 В, снижающей выбросы вредныx веществ, известной как Board Net.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Series:XPB180N10
Fall Time:40 ns
Rise Time:9 ns
Вес, г1.6
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-263-7
Part # Aliases:SP001057184 IPB180N10S402ATMA1
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:156 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:300 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:15 ns
Typical Turn-Off Delay Time:30 ns
Id - Continuous Drain Current:180 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:2.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А180
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.2 mOhms

Техническая документация