Моя заявка (0)

IPB180N06S4H1ATMA2, Транзистор, Микросхема

IPB180N06S4H1ATMA2, Транзистор, Микросхема

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070178001
Артикул
IPB180N06S4H1ATMA2
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Tab
Tab
PPAP
Unknown
EU RoHS
Compliant with Exemption
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 446,58 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 60V 180A Автомобильный 7-контактный (6+ вкладок) D2PAK T/R

Технические параметры

TabTab
PPAPUnknown
EU RoHSCompliant with Exemption
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count7
AutomotiveYes
Lead ShapeGull-wing
Вес, г2.52
PCB changed6
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypePG-TO263-7-3
ConfigurationSingle Quint Source
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageD2PAK
Process TechnologyOptiMOS
Standard Package NameTO-263
Typical Fall Time (ns)15
Typical Rise Time (ns)5
Supplier Temperature GradeAutomotive
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)250000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)208
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)208@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)30
Maximum Continuous Drain Current180 A
Maximum Drain Source Voltage (V)60
Typical Turn-Off Delay Time (ns)60
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)180
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)16840@25V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)1.7@10V

Техническая документация