Моя заявка (0)

IPB180N04S401ATMA1, 40V 180A 188W 1.3mOhm@100A,10V N Channel TO-263-7-3 MOSFETs

IPB180N04S401ATMA1, 40V 180A 188W 1.3mOhm@100A,10V N Channel TO-263-7-3 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070185091
Артикул
IPB180N04S401ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
2.11
Channel Type
N Channel
Power Dissipation
188Вт
Power Dissipation (Pd)
188W
Цена по запросу
(от 298,21 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г2.11
Channel TypeN Channel
Power Dissipation188Вт
Power Dissipation (Pd)188W
КвалификацияAEC-Q101
Total Gate Charge (Qg@Vgs)176nC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)14nF@25V
Continuous Drain Current (Id)180A
Drain Source On State Resistance0.0011Ом
Количество Выводов7вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока180А
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds40В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263(D2PAK)
Максимальная Рабочая Температура175°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный

Техническая документация