Моя заявка (0)

IPB180N04S401ATMA1, Power MOSFET, N Channel, 40 V, 180 A, 0.0011 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

IPB180N04S401ATMA1, Power MOSFET, N Channel, 40 V, 180 A, 0.0011 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8031487108
Артикул
IPB180N04S401ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
2.12
Channel Type
N Channel
Корпус
TO-263
Power Dissipation
188Вт
Цена по запросу
(от 487 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г2.12
Channel TypeN Channel
КорпусTO-263
Power Dissipation188Вт
СтруктураN-Channel
Power Dissipation (Pd)188W
Особенности-
КвалификацияAEC-Q101
Total Gate Charge (Qg@Vgs)176nC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)14nF@25V
Continuous Drain Current (Id)180A
Drain Source On State Resistance0.0011Ом
Количество Выводов7вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока180А
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds40В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263(D2PAK)
Пороговое напряжение на затворе4V@140uA
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А401
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт188
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.3mΩ@100A, 10V

Техническая документация