Моя заявка (0)

IPB180N04S400ATMA1, 40V 180A 300W 0.98mOhm@100A,10V N Channel TO-263-7-3 MOSFETs

IPB180N04S400ATMA1, 40V 180A 300W 0.98mOhm@100A,10V N Channel TO-263-7-3 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070233414
Артикул
IPB180N04S400ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series:
XPB180N04
Fall Time:
58 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 860 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Новый OptiMOS™ -T2 от Infineon оснащен рядом энергоэффективныx MOSFET-транзисторов с уменьшением выбросов CO2 и электроприводами.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Series:XPB180N04
Fall Time:58 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:24 ns
Вес, г2.05
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypePG-TO263-3
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-263-7
Part # Aliases:IPB180N04S4-00 SP000646176
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:286 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Power Dissipation (Pd)300W
Pd - Power Dissipation:300 W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)286nC@10V
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:53 ns
Input Capacitance (Ciss@Vds)22.88nF@25V
Maximum Drain Source Voltage40 V
Typical Turn-Off Delay Time:67 ns
Continuous Drain Current (Id)180A
Id - Continuous Drain Current:180 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Continuous Drain Current180 A
Rds On - Drain-Source Resistance:800 uOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000

Техническая документация