Моя заявка (0)
IPB180N04S400ATMA1, MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006211605
Артикул
IPB180N04S400ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series:
XPB180N04
Fall Time:
58 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 428,47 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 20 В до 40 В Автомобильные N-канальные МОП-транзисторы Infineon Technologies напряжением от 20 до 40 В соответствуют стандарту AEC-Q101 и предназначены для применения в автомобилестроении. Они доступны в широком ассортименте комплектаций, включая D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) и SSO8 (TDSON-8). Эти МОП-транзисторы предназначены для широкого спектра применений, включая управление электродвигателями EPS, 3-фазными двигателями и двигателями с Н-образным мостом, управление вентиляторами ОВКВ и электрическими насосами в сочетании с ШИМ-управлением.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Series:XPB180N04
Fall Time:58 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:24 ns
Вес, г1.6
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypePG-TO263-3
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-263-7
Part # Aliases:IPB180N04S4-00 SP000646176
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:286 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Power Dissipation (Pd)300W
Особенности-
Pd - Power Dissipation:300 W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)286nC@10V
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:53 ns
Input Capacitance (Ciss@Vds)22.88nF@25V
Maximum Drain Source Voltage40 V
Typical Turn-Off Delay Time:67 ns
Continuous Drain Current (Id)180A
Id - Continuous Drain Current:180 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Continuous Drain Current180 A
Rds On - Drain-Source Resistance:800 uOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А400
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт300
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация