IPB180N04S302ATMA1, Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001293529
- Артикул
- IPB180N04S302ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Tab
- Tab
- PPAP
- Unknown
- SVHC
- Yes
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 700 ₽)
Минимальный заказ: 124 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 40V 180A 7-контактный (6+ вкладок) D2PAK T/R Автомобильный AEC-Q101
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | Unknown |
| SVHC | Yes |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 7 |
| Automotive | Yes |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Obsolete |
| Configuration | Single Quint Source |
| Package Width | 9.25 mm |
| Package Length | 10 mm |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | D2PAK |
| Process Technology | OptiMOS |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | TO-263 |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 18 |
| Typical Rise Time (ns) | 19 |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 300000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 160 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 160@10V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 35 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 40 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 57 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 11000@25V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 1.5@10V |
| Typical Drain-Source Resistance @ 25°C (mOhm) | 1.1@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 180 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |