Моя заявка (0)
IPB160N04S4LH1ATMA1, MOSFETs N-CHANNEL 30/40V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8074588457
Артикул
IPB160N04S4LH1ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
65 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
20 ns
Цена по запросу
(от 241,48 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 20 В до 40 В Автомобильные N-канальные МОП-транзисторы Infineon Technologies напряжением от 20 до 40 В соответствуют стандарту AEC-Q101 и предназначены для применения в автомобилестроении. Они доступны в широком ассортименте комплектаций, включая D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) и SSO8 (TDSON-8). Эти МОП-транзисторы предназначены для широкого спектра применений, включая управление электродвигателями EPS, 3-фазными двигателями и двигателями с Н-образным мостом, управление вентиляторами ОВКВ и электрическими насосами в сочетании с ШИМ-управлением.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:65 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:20 ns
Вес, г1.6
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-263-7
Part # Aliases:IPB160N04S4L-H1 SP000979640
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:190 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:167 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-16 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:16 ns
Typical Turn-Off Delay Time:70 ns
Id - Continuous Drain Current:160 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:1.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.7 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000

Техническая документация